文章目录

1 Introduction

2 Test sample and condition

3 Test result and describe

4 Analysis and discussion

5 Conclusion

文章摘要:本文选用特殊测试结构的栅控横向PNP（gated lateral PNP, GLPNP）双极晶体管为研究对象,在不同辐照温度下,得到了温度和剂量对GLPNP双极晶体管辐射损伤的响应机制。试验结果表明,温度和剂量是影响界面陷阱电荷生成和退火动态平衡的关键因素。在低剂量阶段,高温辐照会导致GLPNP双极晶体管辐射损伤加快,在高剂量阶段,适当降低温度会促进界面陷阱电荷的生长。

文章关键词:

项目基金: 上一篇：有机化工论文_二硫化钼负载聚六亚甲基胍盐酸盐 下一篇：没有了